U盤,全稱USB閃存盤,英文名“USB flash disk”。 它是一種使用USB接口的無需物理驅(qū)動(dòng)器的微型高容量移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品,通過USB接口與電腦連接,實(shí)現(xiàn)即插即用。U盤連接到電腦的USB接口后,U盤的資料可與電腦交換。而之后生產(chǎn)的類似技術(shù)的設(shè)備由于朗科已進(jìn)行專利注冊(cè),而不能再稱之為“優(yōu)盤”,而改稱“U盤”。后來,U盤這個(gè)稱呼因其簡(jiǎn)單易記而因而廣為人知,是移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備之一。現(xiàn)在市面上出現(xiàn)了許多支持多種端口的U盤,即三通U盤(USB電腦端口、iOS蘋果接口、安卓接口)。 U盤芯片也稱為閃存芯片,主要分為三種:SLC、MLC和TLC芯片。相信很多朋友還不知道這三種芯片有什么含義、特性及優(yōu)缺點(diǎn),下面就為大家簡(jiǎn)單介紹一下SLC、MLC和TLC這三種芯片以及它們之間的對(duì)比。 一、SLC、MLC和TLC三代閃存的含義介紹: SLC芯片詳細(xì)介紹 “SLC”英文全稱“Single-Level Cell”(即單層式儲(chǔ)存),又名“1bit/cell”,主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過對(duì)浮置閘極的電荷加電壓,然后透過源極,即可將所儲(chǔ)存的電荷消除,通過這樣的方式,便可儲(chǔ)存1個(gè)信息單元,這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取,不過此技術(shù)受限于“Silicon efficiency”的問題,必須要由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技術(shù)。 MLC芯片詳細(xì)介紹 “MLC”英文全稱“Multi-Level Cell”(即多層式儲(chǔ)存),又名“2bit/cell”,主要由東芝、Renesas、三星使用。英特爾(Intel)在1997年9月最先開發(fā)出MLC,它作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)FloatingGate(閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分),然后利用不同電位(Level)的電荷,通過內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級(jí),每個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較大。SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值,而MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值,因此,MLC架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度。 TLC芯片詳細(xì)介紹 “TLC”英文全稱“Triple-Level Cell”,又名“3bit/cell”,也有Flash廠商稱它為“8LC”,TLC芯片雖然儲(chǔ)存容量變大,成本低廉許多,但因?yàn)樾芤泊蟠蛘劭郏虼藘H能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上,象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。 二、SLC、MLC和TLC三代閃存的特性介紹: SLC特性:運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)速度快,使用壽命長(zhǎng),價(jià)格也很貴,大概是“MLC”價(jià)格的三倍以上,大約十萬次寫入(擦寫)壽命。 MLC特性:運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)速度一般、使用壽命一般,購買價(jià)格也一般,大約3000到10000次的寫入(擦寫)壽命。 TLC特性:它的運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)速度最慢,使用的壽命也最短,而且價(jià)格也最便宜,大約500次的寫入(擦寫)壽命,到目前位置,還沒有哪個(gè)廠家能夠做到1000次寫入(擦寫)的。 閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù),而不是讀出的次數(shù),因?yàn)樽x取對(duì)U盤芯片的壽命影響不大。 三、SLC、MLC和TLC三代閃存芯片壽命差異比較: SLC閃存利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息,約10萬次擦寫壽命。 MLC閃存利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息,約一萬次擦寫壽命,SLC-MLC(容量大了一倍,壽命縮短為1/10)。 TLC閃存利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息,約500-1000次擦寫壽命,MLC-TLC(容量大了1/2倍,壽命縮短為1/20)。 四、SLC和MLC的缺點(diǎn)比較 MLC架構(gòu)有不少缺點(diǎn),首當(dāng)其沖的是使用壽命比SLC要短,MLC架構(gòu)只能夠承受1萬次的擦寫,而SLC架構(gòu)卻可以承受10萬次的擦寫。 其次就是存取速度慢,在當(dāng)前的技術(shù)條件下,MLC芯片理論上存取速度只能達(dá)到6MB左右,而SLC架構(gòu)的存取速度要比MLC架構(gòu)的存取速度快三倍以上呢! 還有就是MLC的電流消耗比SLC高,如果在同等使用條件下MLC跟SLC相比的話,MLC的電流消耗要比SLC的電流消耗多出百分之十五左右。 總結(jié):雖然MLC跟SLC相比,MLC缺點(diǎn)要多,但在單顆芯片容量方面,當(dāng)前MLC還是占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的。因?yàn)镸LC架構(gòu)和成本都占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),能夠滿足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場(chǎng)需求。 看了上面這么多的內(nèi)容現(xiàn)在相信大家都了解了SLC、TLC和MLC的區(qū)別了吧?說了這么多大家一定還是想知道究竟這三種U盤芯片究竟哪個(gè)最好,其實(shí)這個(gè)問題并沒有準(zhǔn)確答案,這三種主流U盤芯片各有其特點(diǎn),對(duì)于普通使用U盤的用戶來說,影響不是太大,只要我們注意購買時(shí)不要買到假貨就行了。 U盤最大的優(yōu)點(diǎn)就是:小巧便于攜帶、存儲(chǔ)容量大、價(jià)格便宜、性能可靠。 |
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