夏天到了，我們鐘愛的筆記本電腦的溫度也會升高。傳統的散熱方法，例如添加散熱底座。這種方法的效果有限，如果花費很長時間，不僅會增加機器內部的灰塵，還會阻塞散熱器。相反，排氣孔的溫度會更高。以下是我屬氧化物半導體）工藝制成。 CMOS電路動態功耗的計算公式如下：

P = C×（V?2)×f

C是容性負載，V是電源電壓，f是開關頻率。

假設額定頻率為1GHz，額定電壓為1. 5V的CPU的動態功耗為P0。超頻后，工作電壓升壓至1. 65V，并在1. 3GHz穩定運行。此時，其動態功耗為P1。因為在制作完CPU之后，其電容值C基本上是固定的，可以視為一個常數，也就是說，超頻前后的電容值C是相同的。

您可以獲得：P0 = 1. 5×1. 5×1×C = 2. 25C（W）

P1 = 1. 65×1. 65×1. 3×C = 3. 54C（W）

以上是在壓力下進行超頻的情況。如果在壓力下超頻怎么辦？

換句話說，開關頻率提高了，電壓降低了，功率可能沒有變化，但是與壓力超頻相比，它可以節省很多功率，但是CPU溫度卻下降了。

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