GDDR6視頻存儲器的消息接連出現(xiàn)。 NVIDIA和AMD都比較清楚，下一代圖形卡將采用這種類型的視頻內(nèi)存顆粒。作為上游的半導體制造商，他們也已經(jīng)完成了產(chǎn)品研發(fā)，并且變革可能已經(jīng)悄然開始。 ...

美光宣布完成GDDR6內(nèi)存的開發(fā)

今天上午，美光在其官方博客上發(fā)表了一篇技術(shù)文章，指出GDDR6內(nèi)存已完成所有設(shè)計工作并通過了內(nèi)部驗證。即將發(fā)布的首批芯片是12Gbps和14Gbps引腳帶寬。引腳帶寬可以理解為等效頻率，即12GHz和14GHz。

實際上，那些感興趣的人應(yīng)該已經(jīng)注意到，某些Pascal顯卡上使用的GDDR5X實際上已經(jīng)達到了12GHz，例如EVGA的GTX 1080 TI FTW3 ELITE，TITAN Xp也已經(jīng)達到1 1. 4Gbps。

但是，GDDR6仍然具有自己的優(yōu)勢：單芯片最高可達32Gb（當前為8Gb和16Gb），雙通道，電壓1. 35V（與GDDR5 1. 5V相比），內(nèi)部電子干擾得以降低并制造該工藝也已從G5X的20nm升級到16nm。

Micron表示，現(xiàn)在他們可以將精力轉(zhuǎn)移到提高批量生產(chǎn)良率和開發(fā)更快的GDDR6內(nèi)存上。畢竟，理論極限是16GHz。美光保守地估計GDDR6內(nèi)存將在明年上半年上市，但NVIDIA早就表示將首次亮相。畢竟，三星和SK海力士也在做準備。

三星GDDR6內(nèi)存暴露

三星在11月展示了CES 2017獲獎產(chǎn)品和技術(shù)，并首次提到了其下一代GDDR6內(nèi)存。

盡管AMD和NVIDIA已經(jīng)使用HBM高帶寬視頻內(nèi)存，但其成本太高。從短期來看，它只是一張旗艦卡。主流顯卡仍然必須依靠GDDR系列，下一代標準GDDR6也即將問世。

海力士已經(jīng)發(fā)布了GDDR6內(nèi)存

與僅在第四季度發(fā)布GDDR6內(nèi)存的美光和三星相比，Hynix最早在2017年上半年發(fā)布了GDDR6內(nèi)存顆粒。

首批Hynix GDDR6將使用20nm工藝制造，單個粒度為8Gb（1GB），比美光的GDDR 6、 GDDR5X更快，達到16Gbps。但是，批量生產(chǎn)將一直等到2018年初，屆時可能會與NVIDIA Volta圖形卡一起發(fā)布。

自2008年下半年以來，GDDR5逐漸占領(lǐng)了顯卡市場。自AMD之前的頂級Fury系列使用HBM視頻內(nèi)存以來，已經(jīng)有將近9年的時間，而NVIDIA的頂級顯卡GP100使用HBM 2、和GTX1080。上面的顯卡使用GDDR5X，但是僅限于頂級產(chǎn)品，中高端和以下的主要是GDDR5。隨著GPU性能的不斷提高，對視頻內(nèi)存的速度和效率提出了更高的要求。

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