AMD最新的Radeon RX 5700系列圖形卡已于2019年7月7日推出。7nm工藝和新的RDNA架構(gòu)確實(shí)使老黃和粉絲們注意到了它。畢竟，蘇瑪今年會(huì)去。 “贏”。而現(xiàn)在，我們不妨回過頭來回顧一下超頻的小操作。

為什么要降低工作電壓？

我們知道GPU由大量的晶體管組成。隨著諸如GPU之類的數(shù)字集成電路中晶體管和核心區(qū)域的數(shù)量顯著增加，這些芯片的性能也顯著提高。但這也將使芯片的功耗迅速增加。但是我們也知道這些晶體管不是理想的晶體管，因此門電路也不理想，因此GPU或CPU會(huì)產(chǎn)生功耗和熱量。

經(jīng)過這么多年的發(fā)展，芯片制造工藝已經(jīng)能夠使芯片工作在相對(duì)較低的電壓下，但是不幸的是，該工藝的難點(diǎn)在于如何減少諸如寄生電阻之類的寄生效應(yīng)的存在。晶體管的晶體管，使得芯片的晶體管將“泄漏”。因此，芯片制造商通過該過程來控制這些情況的發(fā)生。而且芯片的制造過程具有不同的電壓和電流范圍，因此我們可以看到某些芯片在一定的電壓范圍內(nèi)工作。

因此，我們可以通過增加一定的電壓來增加芯片材料的電子遷移率，從而可以通過提高芯片的工作頻率來提高性能。這就是為什么我們通常會(huì)增加電壓和頻率以改善GPU和其他芯片的性能的原因。

圖形卡核心的功耗可以簡單地為W = F xV2x C（W：功耗，C：核心總電容，F(xiàn)：頻率，V：工作電壓，核心總電容作為參數(shù)基本不變）這個(gè)公式在紙上表達(dá)。因此，我們可以通過增加一定的電壓來增加芯片材料的電子遷移率，從而可以通過增加芯片的工作頻率來提高性能。這就是為什么我們通常會(huì)增加電壓和頻率以改善GPU和其他芯片的性能的原因。

但是，如果增加圖形卡的核心工作電壓并盡可能提高核心頻率，則在圖形卡的BIOS功耗限制的某些條件下，很容易導(dǎo)致GPU的核心頻率降低。在一定的負(fù)載下被拉低。當(dāng)仍然有一定距離時(shí)，指示的Boost頻率下降。負(fù)載滿時(shí)將重復(fù)此過程，導(dǎo)致在測試過程中它被認(rèn)為是不穩(wěn)定的，并且得分下降。

在內(nèi)核超頻之前，讓我們先談?wù)剝?nèi)核電壓的工作原理。我們知道處理器的核心由大量的晶體管組成，這些晶體管不是理想的晶體管，并且存在諸如門延遲（Gate Delay）之類的問題。核心FET充電和放電需要一定的時(shí)間。只有完成充電和放電后，采樣才能確保信號(hào)的完整性。并且該充電和放電時(shí)間與電壓負(fù)相關(guān)，即，如果電壓高，則充電和放電時(shí)間短。越能保證信號(hào)的完整性。對(duì)內(nèi)核進(jìn)行超頻后，工作頻率會(huì)增加，并且可以滿足充電和放電延遲的電壓可能無法保證信號(hào)的完整性。此時(shí)，增加電壓可以減少延遲，從而再次滿足信號(hào)完整性。但是，有時(shí)在顯示卡核心承受壓力超頻后，由于電源消耗的爆炸性表達(dá)給BIOS紅線，因此核心頻率不再精煉甚至降低。最終的基準(zhǔn)分?jǐn)?shù)測試和游戲幀率可能無法達(dá)到理想的結(jié)果。

之前，我們已經(jīng)測試過，通過將AMD Vega系列圖形卡的GPU核心電壓降低一定量，可以在默認(rèn)頻率和超頻情況下提高性能。這是因?yàn)椋�在RX 5700之前的AMD Vega和RX 5系列圖形卡中，每個(gè)GPU內(nèi)核的外觀都不同。為了使它們盡可能穩(wěn)定地在更高的核心頻率下運(yùn)行，制造商在出廠時(shí)會(huì)上拉顯卡的核心電壓。但實(shí)際上，正是這種操作會(huì)使加壓后的顯卡更容易擊中功耗和溫度壁。

此XFX RX 590 AMD 50周年版有一個(gè)小問題，默認(rèn)電壓稍高。與基準(zhǔn)性能測試中的RX 590 Black Wolf版本相比，它的得分較低。原因是從這里。當(dāng)RX 590 AMD 50周年紀(jì)念版的GPU負(fù)載完全加載時(shí)，平均GPU核心頻率僅為1480 MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有加速到1600 MHz的工作頻率。

默認(rèn)狀態(tài)

減壓方法和試驗(yàn)的說明

解決此問題的一種方法是通過AMD Radeon軟件圖形驅(qū)動(dòng)程序中的WattMan設(shè)置界面調(diào)整圖形卡的核心參數(shù)；或使用MSI的AfterBurner等超頻軟件來降低GPU內(nèi)核電壓。

這一次，我們將在默認(rèn)狀態(tài)，默認(rèn)超頻狀態(tài)，降壓后以及降壓和超頻后執(zhí)行3DMark FireStrike基準(zhǔn)測試。比較他們的結(jié)果并在這些條件下記錄XFX RX。 590 AMD 50周年紀(jì)念版的功耗和溫度。該測試平臺(tái)使用Intel Core i7-8086K處理器和ROG Strix Z370-F游戲主板。測試圖形卡是XFX RX 590 AMD 50周年版，因?yàn)樗�的出廠工作電壓相對(duì)較高，并且GPU-Z的平均監(jiān)視值為1. 25V。內(nèi)存使用ADATA XPG Longyao D80 DDR4-3200 8 GB * 2，操作系統(tǒng)是Windows 10 Pro 1903 64位，圖形卡驅(qū)動(dòng)程序是AMD Adrenalin 2019 Edition 1 9. 6. 3。

默認(rèn)情況下，當(dāng)RX 590 AMD 50周年紀(jì)念版完全加載時(shí)，其工作電壓約為1. 25V。在WattMan面板中，它不顯示圖形卡的特定工作電壓，但默認(rèn)為1150mV。它是滿載電壓，在進(jìn)行調(diào)整時(shí)，它將與工作電壓成比例地反映出來。降壓時(shí)，當(dāng)我們將核心電壓降低到1. 15V時(shí)，我們通過了3DMark壓力測試，并且在滿載時(shí)核心頻率穩(wěn)定在1600 MHz。

降低電壓后，穩(wěn)定在1600 MHz

基準(zhǔn)測試

在圖形卡驅(qū)動(dòng)程序的默認(rèn)狀態(tài)和降壓狀態(tài)下嘗試超頻時(shí)，我們?cè)?660 MHz和1650 MHz之間進(jìn)行了幾次切換，最后通過了1650 MHz的3DMark FireStrike壓力測試，因此該測試將以該頻率為參考，朋友可以獨(dú)立嘗試更高的頻率和更低的電壓。畢竟，這是超頻的樂趣。

超頻到1650 MHz

在3DMark基準(zhǔn)測試中，將RX 590 AMD 50周年版超頻到1650 MHz之后，性能比默認(rèn)狀態(tài)下高大約6％。將電壓下拉100mV后，與默認(rèn)狀態(tài)相比平均增加了4％。在降壓超頻之后，默認(rèn)狀態(tài)下的超頻模式也增加了約1％。

溫度和功耗測試

然后，讓我們看一下這四個(gè)狀態(tài)下RX 590 AMD 50周年版的滿載溫度和功耗。

在溫度測試過程中，整個(gè)測試過程是密封的，外殼為分形技術(shù)R6 TG，測試環(huán)境溫度約為2 6. 5°C。滿載溫度測試方案是循環(huán)運(yùn)行3DMark FireStrike壓力測試，并且數(shù)據(jù)是通過GPU-Z的“記錄到文件”功能記錄的。以下是溫度測試曲線。

在功耗測試鏈接中，通過我們專用的顯卡功耗測試儀器，我們可以準(zhǔn)確地測量顯卡PCI-E和外部電源接口的功耗，并提供實(shí)時(shí)記錄文件。測試圖形卡的功耗數(shù)據(jù)記錄在3DMark FireStrike壓力測試場景中。

從測試結(jié)果來看，RX 590 AMD 50周年紀(jì)念版在默認(rèn)電壓狀態(tài)下，靜音頻率的滿載功耗將比降低的電壓高5-10W；并且降低了超頻后默認(rèn)電壓的功耗。超頻后的功耗平均高出近50W。在溫度方面，默認(rèn)電壓與降壓狀態(tài)下的溫度之間存在很大差異。在無聲滿載狀態(tài)下，溫度約高10°C，在超頻滿載狀態(tài)下，溫度約高8°C。總之，在我們手動(dòng)降低內(nèi)核工作電壓后

可以看出，這款RX 590 AMD 50周年紀(jì)念版可以降低降壓后的溫度和功耗，仍然值得嘗試。

摘要：降級(jí)功能得到了改善，超頻需要謹(jǐn)慎

實(shí)際上，該50周年紀(jì)念版顯卡出廠時(shí)的性能已經(jīng)受到制造商的影響，降壓和超頻操作不適用于所有顯卡。關(guān)鍵是要看它。顯卡的外形是否堅(jiān)固，以及默認(rèn)電壓是否過高。此外，超頻也是對(duì)硬件本身的嚴(yán)峻考驗(yàn)。不當(dāng)操作造成損壞的可能性很高，因此我們應(yīng)謹(jǐn)慎。

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